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PECVD系统 | ||||||||
PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)等离子体增强化学气相沉积法。 | ||||||||
本设备是借助射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行,利用了等离子体的活性来促进反应,因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。 | ||||||||
本设备主要由管式加热炉体,真空系统,质子流量供气系统,射频等离子源,石英反应腔室等部件组成。 | ||||||||
主要特点: 1、通过射频电源把石英真空室内的气体变为离子态。 2、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积所需的温度更低。 3、可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小。 4、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高。 5、广泛应用于:各种薄膜的生长,如:SiOx, SiNx, SiOxNy 和无定型硅(a-Si:H) 等。 |
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系统选型 | ||||||||
项 目 | 推荐选型 | |||||||
管式加热炉体 | ||||||||
石英反应腔室 | 根据需求选择不同直径的石英管作为反应室。有Φ40,Φ60,Φ80,Φ100,Φ120,Φ150等规格可选。 | |||||||
真空系统 | 根据需求选择不同真空效果的真空系统。有DZK10-1(极限真空0.1Pa),GZK10-3(极限真空0.001Pa),以及进口高真空机组(极限真空0.0001Pa)供选择。 | |||||||
质子流量供气系统 | 根据需求选择多路质子流量供气系统。有两路GQ-2Z,三路GQ-2Z,四路GQ-2Z,五路GQ-2Z或更多路供选择。 | |||||||
射频等离子源 | 根据需求选择强度不同的射频电源。有DLZ300(300W),DLZ500(500W)或更大功率的射频电源供选择。 | |||||||
常见PECVD系统组合 | 1. 1200度60滑轨式微型管式炉,低真空系统,四路质子流量供气系统,300W射频电源 | |||||||
MXG1200-60S-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ300 | ||||||||
2. 1200度60滑轨式管式炉,低真空系统,四路质子流量供气系统,500W射频电源 | ||||||||
MXG1200-60-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ500 | ||||||||
3. 1200度60双温区滑轨式管式炉,低真空系统,四路质子流量供气系统,500W射频电源 | ||||||||
MXG1200-60II-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ500 | ||||||||
4. 1200度60三温区滑轨式管式炉,低真空系统,四路质子流量供气系统,500W射频电源 | ||||||||
MXG1200-60III-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ500 | ||||||||
5. 1200度60微型预热炉,1200度60滑轨式管式炉,低真空系统,四路质子流量供气系统,500W射频电源 | ||||||||
MXG1200-60S,MXG1200-60-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ500 |