EM01-PV-II激光椭偏仪
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价格: 面议
产品型号:EM01-PV-II激光椭偏仪
品牌:2635727
公司名称:深圳市迪赛光电技术有限公司
地:广东深圳
发布时间:2011-10-21
深圳市迪赛光电技术有限公司
产品简介
EM01-PV-II激光椭偏仪:单晶、多晶及各种薄膜太阳能电池的折射率和膜厚测量领域,既适合科研院所研究使用,亦适合工厂进行工艺研究分析和产线上产品检测以及EM01系列激光椭偏仪家族的传统领域,包括半导体、集成电路、微电子、光学镀膜、医学与生命科学、电化学、平板显示领域、磁介质存储、聚合物、新材料、金属处理等
产品详情

EM01-PV-II激光椭偏仪特点:
1.高精度、高稳定性
2.特定角度样品台,适合单晶硅太阳能电池的测量
3.适合绒面测量
4.操作简单
5.快速测量
6.快速、高精度样品方位对准
7.多角度测量
8.一体化集成设计
EM01-PV-II激光椭偏仪应用领域:
    单晶、多晶及各种薄膜太阳能电池的折射率和膜厚测量领域,既适合科研院所研究使用,亦适合工厂进行工艺研究分析和产线上产品检测以及EM01系
列激光椭偏仪家族的传统领域,包括半导体、集成电路、微电子、光学镀膜、医学与生命科学、电化学、平板显示领域、磁介质存储、聚合物、新材料、金属处理等。
EM01-PV-II性能保证:
1.高稳定性的He-Ne激光光源、高精度的采样方法以及低噪声探测技术,保证了系统的高稳定性和高准确度;
2.高精度的光学自准直望远系统,保证了快速、高精度的样品方位对准;
3.稳定的结构设计、可靠的样品方位对准,结合先进的采样技术,保证了快速、稳定测量;
4.分立式的多入射角选择,可应用于复杂样品的折射率和绝对厚度的测量;
5.一体化集成式的仪器结构设计,使得系统操作简单、整体稳定性提高,并节省空间;
6.专用软件方便太阳能电池测试和建模。
7.量拓自有专利技术保障。

EM01-PV-II激光椭偏仪技术指标: 

激光波长

632.8nm (He-Ne laser)

膜层厚度精度

0.01nm (对于Si基底上110nmSiO2膜层)

0.05nm (对于绒面Si基底上80nmSi3N4膜层)

折射率精度

1x10-4  (对于Si基底上110nmSiO2膜层)

5x10-4  (对于绒面Si基底上80nmSi3N4膜层)

光学结构

PSCA

激光光束直径

<1mm

入射角度

40°-90°可选,步进

样品方位调整

三维平移调节:±12.5mmX-Y-Z三轴)

二维俯仰调节:±4°

光学自准直系统对准

样品台尺寸

Φ170mm

单次测量时间

0.2s

推荐测量范围

0-2000nm

最大外形尺寸(xx)

887 x 332 x 552mm (入射角为90º)

仪器重量(净重)

25Kg

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