筛选
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二、基本技术参数
1、半导体冷阱:
(1)容积≈0.7dm3(用工业酒精)(2)额定温度:-60℃ (3)额定工作电流:30A
(4)冷却水、水压:0.1-0.2MPa 冷却水温度≤25℃
2、温度调节范围:-60℃-室温
3、试样冷却时间:180±0.5秒
4、提出夹持器并于0.5秒内冲击试样
5、冲击位置:
(1)冲击器与试样之间距离为25±1毫米
(2)从冲击位置到试样夹持器下端的距离为11±0.5毫米
(3)冲击行程为40±1毫米
6、气源泉压力:0.41MPa
7、电源电压交流:380V±10% 50Hz
功率:0.8KVA
8、外形尺寸:1100×600×1100mm
9、重量:(毛重)280kg