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半导体硅片抛光剂
1. 特点
² 去除速率高:硅片的单位去除速率可以达到0.8-1.5um/min,降低抛光工艺所需要的时间,提高生产效率
² 使用方便:本抛光液适用于通用的抛光工艺,
² 抛光效果好:抛光表面粗糙度好无划伤,不会出现抛光雾。
2. 使用范围及参数
本系列产品适用于直拉、区熔单晶硅,直径φ76-150mm的原始硅片、掺杂硅片的单面双面的抛光;以及其它半导体材料如锗片,砷化镓片等抛光工艺(需要添加抛光助剂);同时还适用于光学晶体材料如铌酸锂的抛光工艺。
项目 型号 | SiO2含量 | pH | 平均粒径/nm | 稀释倍数 | 主要用途 |
P2100 | 21-25% | 11.0-12.0 | 50-80 | 10-15 | 硅片减薄、一次抛光 |
P3015 | 28-32% | 11.5-12.5 | 40-70 | 15 | 硅片抛光 |
P4025 | 34-36% | 11.5-12.5 | 40-70 | 25 | 硅片抛光 |
P5020 | 38-42% | 11.5-12.5 | 30-60 | 20-25 | 硅片抛光 |
P6010 | 9-11% | 9.5-10.5 | 30-50 | 10-15 | 硅片二次抛光 |
3. 使用工艺
要技术参数:抛光压力150~250g/cm2
抛光温度 : 30~45℃
抛光时间 : 15~30min
4.
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