气氛真空炉 KXF16Q-IV

这款气氛真空炉（真空气氛烧结炉、气氛箱式炉、气氛烧结炉、可控气氛炉、高温气氛炉、箱式可控气氛炉）以1800型硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构和日本岛电40段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用1800型氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快速升降温，采用外壳整体密封、盖板密封采用硅胶泥、炉门采用硅胶垫、并通有水冷系统，气体经过流量计后由后膛进入，真空气氛烧结炉有多处洗炉膛进气口、出气口处有燃烧嘴，可以通氢气、氩气、氮气、氧气、一氧化碳、氨分解气等气体，并可以用真空泵预抽真空排除炉膛内气体，该气氛真空炉具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快、节能等优点，是高校、科研院所、工矿企业做气氛保护烧结、气氛还原用的理想产品。

控温仪表：日本岛电（具有超温、过温、断偶保护、软启动、限流等功能，6组PID调节，控制精度+/-1℃）
电　器：正泰
加热元件：1800型硅钼棒或钼丝
炉　膛：1800型氧化铝多晶纤维
测压系统：压力表
进气系统：浮子流量计

气氛真空炉规格型号：

型号	深(d)	宽(w)	高(h)	功率(kw)	电压(v)	最高温度（℃）
KXF16Q-Ⅰ	160	150	150	3	220	1600
KXF16Q-Ⅱ	200	200	200	6	220	1600
KXF16Q-Ⅲ	300	200	200	8	220	1600
KXF16Q-Ⅳ	300	250	250	10	380	1600
KXF16Q-Ⅴ	400	300	300	13	380	1600
KXF16Q-VI	600	200	200	12	380	1600

型号项目	单位	KXF16Q-I	KXF16Q-II	KXF16Q-III	KXF16Q-IV	KXF16Q-V
炉体结构		双层壳体结构，并配有风冷系统
额定功率	KW	4	6	8	9	13
额定电压	V	AC220V	AC220V	AC220V	AC380V	AC380V
频率	HZ	50/60
相数	相	单相
温度范围	℃	800-1600	800-1600	800-1600	800-1600	800-1600
额定温度	℃	1500	1500	1500	1500	1500
升温速率	℃/min	≤15	≤15	≤15	≤15	≤15
炉膛尺寸	cm	16X15X15	20X20X20	30X20X20	30X25X25	40X30X30
外型尺寸	cm（LXWXH）	52X48X80	56X53X85	56X63X85	61X63X93	66X73X140
控温精度	℃	±1	±1	±1	±1	±1
控温方式		40段程序控温 PID 调节可控硅控制
热电偶型号	分度	B	B	B	B	B
加热元件		1800型硅钼棒
炉膛材料		1800型氧化铝多晶纤维（氧化铝含量95%以上, ）
炉体四周表面温度	℃	≤35	≤35	≤35	≤35	≤35
炉子接空气开关型号		32A	50A	63A	50A	80A
通讯接口		可根据客户的需要配通讯接口
单价	元	43600	49800	55000	63000	72000