HN6000系列高精度抗干扰变频介质损耗测试仪

HN6000C/D/E/F四种型号及功能特点:

1.1 主要技术指标

准确度：           Cx:       ±（读数×1%+1pF）

tgδ:     ±（读数×1%+0.00040）

抗干扰指标：变频抗干扰，在200%干扰下仍能达到上述准确度

电容量范围：      内施高压：   3pF～60000pF/10kV     60pF～1μF/0.5kV

外施高压：   3pF～1.5μF/10kV          60pF～30μF/0.5kV

分辨率：                 最高0.001pF，4位有效数字

tgδ范围：   不限，分辨率0.001%，电容、电感、电阻三种试品自动识别。

试验电流范围：10μA～5A

内施高压：   设定电压范围：0.5～10kV

最大输出电流：200mA

升降压方式：     连续平滑调节

电压精度：   ±(1.5%×读数+10V)

电压分辨率：     1V

试验频率：   45、50、55、60、65Hz单频

45/55Hz、55/65Hz、47.5/52.5Hz自动双变频

频率精度：   ±0.01Hz

外施高压：   正接线时最大试验电流1A，工频或变频40-70Hz

反接线时最大试验电流10kV/1A，工频或变频40-70Hz

CVT自激法低压输出：输出电压3～50V，输出电流3～30A

测量时间：   约40s，与测量方式有关

输入电源：   180V～270VAC，50Hz/60Hz±1%，市电或发电机供电

计算机接口：      标准RS232接口

打印机：           炜煌A7热敏微型打印机

环境温度：   -10℃～50℃

相对湿度：   <90%
1.2 主要功能特点

1.2.1 变频抗干扰

采用变频抗干扰技术，在200%干扰下仍能准确测量，测试数据稳定，适合在现场做抗干扰介损试验。

1.2.2高精度测量

采用数字波形分析和电桥自校准等技术，配合高精度三端标准电容器，实现高精度介损测量。

仪器所有量程输入电阻低于2Ω，消除了测量电缆附加电容的影响。

1.2.3多级安全保护，确保人身和设备安全

高压保护：试品短路、击穿或高压电流波动，能以短路方式高速切断输出。

低压保护：误接380V、电源波动或突然断电，启动保护，不会引起过电压。

接地保护：仪器接地不良使外壳带危险电压时，启动接地保护。

C  V  T：高压电压和电流、低压电压和电流四个保护限，不会损坏设备；误选菜单不会输出激磁电压。CVT测量时无10kV高压输出。

防误操作：两级电源开关；电压、电流实时监示；多次按键确认；接线端子高/低压分明；缓速升压，可迅速降压，声光报警。

防“容升”：测量大容量试品时会出现电压抬高的“容升”效应，仪器能自动跟踪输出电压，保持试验电压恒定。

抗震性能：仪器采用独特抗震设计，可耐受强烈长途运输震动、颠簸而不会损坏。

高压电缆：为耐高压绝缘导线，可拖地使用。

1.2.4功能强大，产品系列化

本一起有四种型号： C、D、E和F型。

C型：

（1）具有正/反接线，内/外标准电容，内/外高压多种工作模式，一体化结构，可做各种常规介损试验，不需外接任何辅助设备。

（2）液晶显示，菜单操作，测试数据丰富，自动分辨电容、电感、电阻型试品，自带微型打印机可打印输出。

（3）具有外接标准电容器接口，可外接油杯做精密绝缘油介损试验，可外接固体材料测量电极做精密绝缘材料介损试验，也可外接高压标准电容器做高电压介损试验。

（4）自动识别50Hz / 60Hz系统电源，并支持发电机供电，即使频率波动大，也可正常测量。

（5）内置串联和并联两种介损测量模型，方便仪器检定。

（36）可存储255组测量数据。

 

D型：除具备C型全部功能外，

（1）CVT自激法测量时，C₁/C₂可一次接线同时测出，自动补偿母线接地和标准电容器的分压影响，无须换线和外接任何配件。

（2）中文图文菜单，大屏幕背光LCD显示更清晰，电流电压实时监视。

 

E型：除具备D型全部功能外，

（1）优化的电路设计，使正/反接线的准确度和稳定性一致。

（2）自动识别外接高压试验电源频率40Hz～70Hz，支持工频电源、变频电源和串联谐振电源做大容量高电压介损试验。

（3）具有反接线低压屏蔽功能，在220kVCVT母线接地情况下，对C₁₁可进行不拆线10kV反接线介损测量。

（4）带计算机接口。通过该接口，实现测量、数据处理和报表输出，也可实现仪器内部测量软件升级。可集成到综合高压试验车上。
 F型：除具备E型全部功能外，

（1）配置热敏打印机，使打印更加快捷、无噪音和清晰。

（2）增加回路接触不良放电提示功能，以方便判别接线是否可靠。

（3）增强反接线低压屏蔽功能，可一次接线同时测出两个电容的电容量和介损值。

（4）增加CVT变比功能，可测量CVT变比和相位误差。

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