难溶金属硅PECVD设备

难溶金属硅PECVD设备
技术指标

· 系统极限真空度：≤6.67×10^-5Pa
· 真空室尺寸Ф400mm×300mm
· 样品大小Ф100mm
· 热电偶闭环反馈控制加热温度 600℃±1℃
· 四路质量流量计进气

应用领域

PECVD (等离子体增强化学气相沉积) 设备用于太阳能电池、多晶硅薄膜电池研究，也可沉积氧化硅、氮化硅、多晶硅及难溶金属硅化物等多种薄膜。

产品说明

由PECVD室、上下电极、射频电源、样品加热台、泵抽系统、真空测量系统、电控系统、气路系统等组成。

特别说明：
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