压控晶振 VCXO

压控晶振就是利用改变控制电压来实现对输出频率的调整，简称为VCO。压控振荡器内部电路是由变容二极管和石英晶体振荡器电路组成的。变容二极管是串联在频率控制回路当中，通过改变加载在变容二极管上的电压来调整石英振荡器的振荡频率，实现对输出频率的微调。压控晶振比普通SPXO晶振使用要灵活得多。因为它的输出频率可以实现微调，通过调整使输出频率达到*理想状态。由于电压控制脚是一个输入脚，很容易带入其他杂散信号，因此，在使用时要特别注意。压控晶振广泛应用在工业和电信领域。

电气参数
1.频率（MHz）
2.输出波形（CMOS / SINE / TTL / LVDS）
3.输出电平及负载
4.工作温度范围（℃）
5. 频率稳定度（ppm）
6.压控电压范围
7. 频率调整度（+/-ppm）
8.封装
9.工作电压（Vdc）
10.输出电流（mA）
11.频率误差（+/-ppm）
12.老化率（Per Year）
注意：压控电压范围是指加载在压控晶振压控VC脚的电压范围。压控电压一般通过可调电阻从外部稳压源获得稳定的调整电压。有些压控晶振有自带压控参考电压输出，这个参考电压更好。

	压控晶振	SMD 14X9MM	VCXO
一、压控晶振技术规格
指标参数		参数值			备注
	频率范围	5-300MHZ			可定制
	输出波形	Sine	方波	PECL
输出	输出幅度	0-7dBm	标准	标准	可定制
特性	输出负载	50Ω	15pF	/
	谐波/占空比	-30dBc	45-55%	45-55%
	杂散抑制	-70dBc	-70dBc	-70dBc
	温度特性	±25ppm			@25℃
	温度范围	-40 ﹢85 ℃
	年老化率	±3 - ±5ppm
频率	相位噪声
稳定	@10Hz	≤-65dBc/Hz
性	@100Hz	≤-95dBc/Hz
	@1KHz	≤-122dBc/Hz			@122.88MHz
	@10KHz	≤-138dBc/Hz
	@100KHz	≤-142dBc/Hz
频率	调节方式	电压调节
调节	压控电压范围	按照客户要求			@电压调节
	频率调节范围	±50-±150ppm			可定制
	线性度	±1%/±3%/±5%	Max
	压控斜率	正斜率
电源	工作电压	3.3V / 5V
输入	工作电流	50mA Max			@122.88MHz
储存温度		-55 ﹢125 ℃

	压控晶振	DIP 21X13MM	VCXO
一、压控晶振技术规格
指标参数		参数值			备注
	频率范围	5-300MHZ			可定制
	输出波形	Sine	TTL	HCMOS
输出	输出幅度	0-7dBm	标准	标准	可定制
特性	输出负载	50Ω	15pF	15pF
	谐波/占空比	-30dBc	45-55%	45-55%
	杂散抑制	-70dBc	-70dBc	-70dBc
	温度特性	±25ppm			@25℃
	温度范围	-40 ﹢85 ℃
	年老化率	±3 - ±5ppm
频率	相位噪声
稳定	@10Hz	≤-120dBc/Hz
性	@100Hz	≤-125dBc/Hz
	@1KHz	≤-130dBc/Hz			@32.768MHz
	@10KHz	≤-140dBc/Hz
	@100KHz	≤-145dBc/Hz
频率	调节方式	电压调节
调节	压控电压范围	按照客户要求			@电压调节
	频率调节范围	±50-±150ppm			可定制
	线性度	±1%/±3%/±5%	Max
	压控斜率	正斜率
电源	工作电压	3.3V / 5V
输入	工作电流	15mA Max			@32.768MHz
储存温度		-55 ﹢125 ℃