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四探针金属/半导体电阻率及磁性薄膜磁电阻测量仪
用四探针测量电阻率,可以避免电极接触电阻对测量结果的影响,因此在国内外早已被广泛用来测量金属、半导体、导电高分子材料的电阻率。另外本仪器还在四探针样品台两侧加上亥母霍兹线圈,用其提供一个可调磁场,用来测量磁性金属的磁电阻率。 特别是在物理实验教学上,用其编排的实验内容丰富、适用面广、扩展性强。
本仪器装置和实验内容已通过国家工科基础课程教学基地鉴定。
主要用途:
半导体、导电高分子薄膜(块体)材料电阻率的测量
金属薄膜材料电阻率的测量
金属块体材料电阻率的测量
磁性合金薄膜的磁电阻测量
铁磁、非铁磁、铁磁三层或多层薄膜的磁电阻测量
自旋阀型巨磁电阻薄膜、隧道结型巨磁电阻薄膜的磁电阻测量
仪器组成及性能:
精密直流电流源电压表:
电压输出范围:5µV-50V,负载电流最大为10mA
量程:分五档,20mV、200mV、2V、20V、50V,带有粗调和细调
输出电压显示:4½位LED
输出电压的基本误差:±(0.1%RD+0.02%FS)
电流输出范围:1nA-50mA,最高输出电压为5V
量程:分五档,20µA、200µA、2mA、20mA、50mA,带有粗调和细调(可扩展至200mA)
输出电流指标:4½位LED
输出电流的基本误差:±(0.03%RD+0.02%FS)
高精度直流数字电压表:
电压测量范围:0.1µV—1000V直流电压
测量电压显示:6½位LED
接口:RS232C接口
亥母霍兹线圈:
由2只相同类型的线圈分别固定在样品平台的衬盘两侧。线圈在实验平台上可360º转动,能产生磁场0~180奥斯特。
亥母霍兹线圈电源:
能产生0~60V连续可调电压,最大额定电流为5A输出
四探针平台及组件
由底盘,可旋转360º的衬盘,在衬盘上的样品平台以及在样品平台上安置的四探针组成。四探针组件是由具有引线的四根探针组成。四根探针被固定在一个架子上,相邻两探针的间距为3毫米,探针针尖的直径约为200微米。样品放在可调样品台上,样品台可在线圈中心上下一厘米内可调。
- 询价产品:半导体磁电阻率测量仪 HT
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