公司名称:安合盟(天津)科技发展有限公司 所在地:天津蓟县 发布时间:2009-08-07 联系人:张经理 郭经理 联系电话: 022-83719679,13820396836,18920225686 安合盟(天津)科技发展有限公司 产品简介 单波长椭偏仪(激光椭偏仪) 产品详情 技术参数 波长:637nm 入射角:连续,30~90°(±0.03°) 样品尺寸:4inch~8inch 精度:(1200A SiO2标准片,5times) TKS±2.5A/N±0.005 尺寸:80cm×34cm×42cm 应用: 镀膜工艺 最佳化及监控 SiNx减反膜工艺 TiO2减反膜工艺 复合SiNx减反膜工艺 SiO2钝化工艺 复合SiNx/SiO2减反膜工艺 SiO2掩膜工艺 主要特点 软件特征: 整合量测、分析、计算 操作模式安全化 同步原始数据呈现 硬件特征: 半导体镭射光源 三格林泰勒棱镜偏振系统 波长:260-1800nm 消光比:>105 发散角:≤3mrad 真空吸附载物台 自动连续入射角(零度校正) 高分辨率半导体探测器 仪器介绍 软件特征: 整合量测、分析、计算 操作模式安全化 同步原始数据呈现 硬件特征: 半导体镭射光源 三格林泰勒棱镜偏振系统 波长:260-1800nm 消光比:>105 发散角:≤3mrad 真空吸附载物台 自动连续入射角(零度校正) 高分辨率半导体探测器 相关仪器 1.全波长(可见光)椭偏仪(无) 商铺其他产品 联系商家 立即询价 发布询价单 询价产品:单波长椭偏仪(激光椭偏仪) 无 询价数量: /个 联系人: 联系电话:
技术参数 波长:637nm 入射角:连续,30~90°(±0.03°) 样品尺寸:4inch~8inch 精度:(1200A SiO2标准片,5times) TKS±2.5A/N±0.005 尺寸:80cm×34cm×42cm 应用: 镀膜工艺 最佳化及监控 SiNx减反膜工艺 TiO2减反膜工艺 复合SiNx减反膜工艺 SiO2钝化工艺 复合SiNx/SiO2减反膜工艺 SiO2掩膜工艺 主要特点 软件特征: 整合量测、分析、计算 操作模式安全化 同步原始数据呈现 硬件特征: 半导体镭射光源 三格林泰勒棱镜偏振系统 波长:260-1800nm 消光比:>105 发散角:≤3mrad 真空吸附载物台 自动连续入射角(零度校正) 高分辨率半导体探测器 仪器介绍 软件特征: 整合量测、分析、计算 操作模式安全化 同步原始数据呈现 硬件特征: 半导体镭射光源 三格林泰勒棱镜偏振系统 波长:260-1800nm 消光比:>105 发散角:≤3mrad 真空吸附载物台 自动连续入射角(零度校正) 高分辨率半导体探测器 相关仪器 1.全波长(可见光)椭偏仪(无)