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产品型号： MEM2303M3
公司名称：上海集驰电子科技有限公司
所在地：上海闵行
发布时间：2017-10-25
上海集驰电子科技有限公司
产品简介
MEM2303M3系列P 沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS 沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。
MEM2303M3的封装: SOT23-3L
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P-Channel MOSFET MEM2303M3
MEM2303M3系列P 沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS 沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。
MEM2303M3产品特性：
1、 -30V/-4.2A
2、 RDS(ON) =55mΩ@ VGS=-10V,ID=-4.2A
RDS(ON) =62mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-4A
RDS(ON) =72mΩ@ VGS=-2.5V,ID=-2.5A
3、 High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance
MEM2303M3的封装: SOT23-3L
MEM2303M3的典型应用：
电源管理；
负载开关；
电池保护。
MEM2303相关产品：MEM2303XG
- 询价产品： MEM2303M3 MEM2303M3
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