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P-Channel MOSFET MEM2307M3G
MEM2307M3G产品简介:
MEM2307M3G 系列双 N 沟道增强型功率场效应管(MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。
MEM2307M3G系列适用于低压应用,例如移动电话,笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路.
MEM2307M3G的特点:
1、-30V/-4.1A
RDS(ON)<88mÙ@ VGS=-10V,ID=-4.1A
RDS(ON)<108mÙ@ VGS=-4.5V,ID=-3A
2、超大密度单元、极小的 RDS(ON))
MEM2307M3G的: SOT23-3
MEM2307M3G的典型应用:
1、电源管理
2、负载开关
3、电池保护