P-Channel MOSFET MEM2307M3G

 MEM2307M3G产品简介：

 MEM2307M3G 系列双 N 沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。
      MEM2307M3G系列适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路.

 MEM2307M3G的特点：

1、-30V/-4.1A
            RDS(ON)＜88mÙ@ VGS=-10V,ID=-4.1A
            RDS(ON)＜108mÙ@ VGS=-4.5V,ID=-3A
      2、超大密度单元、极小的 RDS(ON)）

    MEM2307M3G的: SOT23-3

 MEM2307M3G的典型应用：
      1、电源管理

2、负载开关
      3、电池保护