中子sCMOS探测器

中子sCMOS探测器

PSEL制冷型中子探测器系列采用LiF：ZnS：Ag闪烁体荧光屏，由极低噪声、高灵敏度ICCD或sCMOS芯片读出。中子成像应用方面使用10cm×10cm至43cm×43cm有效区域的高分辨率闪烁体，并结合具有低噪声、快速读出4096×4096分辨率的sCMOS相机。衍射和小角散射应用使用26cm×20cm有效区域的高效闪烁体，并结合1306×1040分辨率的超低噪声ICCD相机，可实现单量子探测功能。通过将多个相机拼接在一起可以实现更大区域的探测。快中子系列不仅可以用于实验室密封源研究，也可用于研究反应堆设施。

中子sCMOS探测器 主要特点：

16-bit数字图像实时采集
单中子等效读出噪声
可达20000:1的高动态范围
标准相机与计算机接口
芯片阵列可多路采集

应用：

中子成像/断层扫描
中子衍射
小角中子散射
蛋白质晶体学
中子反射

技术指标：

参数	中子ICCD	中子sCMOS
闪烁体	LiF：ZnS：Ag
有效像元尺寸	200μm	105 μm
有效探测尺寸	20cm×26cm	43cm×43cm
帧速	0.6 fps	5 fps
动态范围	>10000:1	>20000:1
读出噪声	<3 e-	4e-
增益	>1000:1	N/A
门控宽度	<1 ms @ 1kHz	N/A
芯片制冷温度	-20 ℃
曝光时间(单帧)	*长可达30分钟	*长可达1分钟
相机接口	千兆以太网

Li-6荧光屏来自于scintacor

特征	物理性质
屏幕类型	ND
磷光体类型	混合颗粒
发光颜色	蓝色
峰值波长	450nm
衰减10%	3.5μs
余辉拖尾	低阶
X射线吸收	极低
紫外光吸收	宽带