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产品型号：1083nm PH1083DBR
公司名称：OEWindow
所在地：北京海淀
发布时间：2018-12-05
OEWindow
产品简介
1083nmDBR激光器是基于Photodigm公司先进的单频率激光芯片技术设计而成，应用范围包括：光谱学、He磁力仪、光纤放大器种子源、差频振荡、替代低功率固体激光器等。
1083nmDBR激光器将光栅放置于激光有源层的一端，可有效避免二极管工作时电流对光栅造成的冲击，能够充分保证激光二极管的使用寿命和稳定性。1083nm激光二极管的线宽小于1MHz，输出功率40-120mW，具有非常好的稳定性。调制频率可达6.8GHz（for putting sidebands on the laser)。
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联系人：销售部
联系电话：13126663633
www.photodigm.com
PH1083DBR
1083nm系列
高功率、单频输出激光二极管
核心技术：
（1）DBR单频激光芯片；（2）AlGaAs 量子阱有源层。
产品特点：
（1）高功率，单频输出；（2）激光线宽500kHz-1MHz；（3）多种封装形式；（4）无跳模调谐范围宽；（5）使用寿命长；（6）可提供纳秒或皮秒脉冲输出。（7）调制频率可达6.8GHz（for putting sidebands on the laser)。
PH1083DBR系列高功率激光二极管是基于Photodigm公司先进的单频率激光芯片技术设计而成。它可以提供衍射极限且单纵模输出的激光光束，应用范围包括：光谱学、He磁强计、光纤放大器种子源、差频振荡、替代低功率固体激光器等。
DBR激光二极管将光栅放置于激光有源层的一端，可有效避免二极管工作时电流对光栅造成的冲击，能够充分保证激光二极管的使用寿命和稳定性。另外，DBR激光二极管采用单步分子束外延生长而成，使生产成本更加低廉，并且保证了低内部损耗和高输出功率。
技术参数：
|
储存温度 |
0-80℃ |
|
工作温度 |
5.0-70℃ |
|
正向电流（连续模式输出） |
~300mA(Typ) |
|
正向电流（脉冲模式输出），T=25℃
脉冲宽度：300ns |
1.0A |
|
激光反向电压 |
2.0V |
|
光电二极管正向电流 1/2/ |
5.0mA |
|
光电二极管反向电压 1/2/ |
20.0V |
|
光电二极管暗电流，VR=10V，1/2/ |
50nA |
|
TEC电流 1/2/ |
-1.8—1.8A |
|
TEC电压 1/2/ |
-2.0—2.0V |
|
热敏电阻电流 1/2/ |
1.0mA |
|
热敏电阻电压 1/2/ |
10V |
连续模式输出技术参数（T=25℃）
|
中心波长 |
1083nm(Typ.) |
|
输出功率 |
40-180mW |
|
斜率效率（蝶形封装） |
0.36W/A |
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斜率效率（TO-8封装） |
0.72W/A |
|
阈值电流 |
~60mA |
|
激光二极管电阻值 |
2.0Ω |
|
正向电压 |
2.0V |
|
热敏电阻阻值@25℃，1/2/ |
10KΩ |
|
光电二极管暗电流，VR=10V，1/2/ |
50nA |
|
激光线宽 |
1MHz |
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温度调谐系数 |
20GHz/℃ |
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电流调谐系数 |
0.77GHz/mA |
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偏振消光比，1/ |
-19dB |
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光束发散角@FWHM |
6x32° |
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边模抑制比 |
-30dB（Min） |
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激光偏振 |
TE |
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模式结构 |
基模 |
1/蝶形封装 2/TO-8封装
注意事项：
此激光二极管是静电敏感器件，操作时请注意接地保护和佩戴静电手环。存储时请将各管脚短接在一起并放入防静电的容器内。
可提供多种封装形式
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- 询价产品：1083nmDBR激光器 1083nm PH1083DBR
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