PPLN晶体（倍频 PPLN-SHG OPO

PPLN晶体

产品特点：

1. 掺5mol%MgO铌酸锂晶体。

2. 具有高光损伤阈值和非线性系数。

3. 具有更高效的转换效率。

PPLN原理：

铌酸锂（Lithium Niobate）是一种铁电晶体，具有单畴结构。PPLN（Periodically-Poled Lithium Niobate）晶体是利用准相位匹配（QPM）技术，通过极化工艺人为制造出周期性畴结构。极化周期间隔的大小取决于具体应用，从几微米到几十微米不等。

我公司自主研发生产的PPLN晶体具有非常高的性能品质，已被国内外多家大学和科研机构使用。PPLN的制造过程，首先是采用光刻技术在铌酸锂晶体单畴基片表面制作出设定结构的电极（在铌酸锂晶体正畴面和负畴面上刻蚀出与掩模版完全对应的A1电极），之后在准确控制的极化条件下对晶体施加电场（使用高电压可以使高介电材料的光学特性持久地发生改变），实现极化反转。极化后的晶体切割成所需的尺寸，然后进行抛光和镀膜处理。PPLN的制造工艺先进，非常适合于工业化大规模生产。

铌酸锂晶体正畴面与负畴面上刻蚀出与掩模版完全对应的A1电极

我公司生产的PPLN晶体长度可达70mm，有效提高了转换效率。

普通SHG倍频应用（1064nm倍频产生532nm），晶体周期：6.97um。（腔内倍频仅需0.5-2mm晶体长度即可实现高达数瓦的激光输出。）

针对OPO应用，我们可以提供多种极化周期的PPLN晶体，尺寸可以按照用户要求设计生产。（公司库存有多片晶体，可以快速供货。）

产品参数：（OPO应用）

Transparency Range	360-5000nm
Chip Thickness	1-2mm
Chip Width	2-10mm
Chip Length	10-70mm
Grating Periods	6.95, 29.0, 29.5, 30.0, 30.5, 31.0, 31.5, 32.0um （Other periods available upon request）
End surfaces	Optically polished and AR coated, on both input/output facets AR@1030-1064nm&1450-1650nm&3000-4000nm
Damage Threshold (typical)	600MW/cm²(1064nm,9ns,10Hz)
Dimensions（*WTL*）	5160mm, 5150mm, 5140mm, 5240mm, 5250mm, 5260mm (Other dimensions available upon request）
Pump	1064nm

PPLN与LBO、KTP相比，具有非线性系数高，体积小、制造周期短、易大批量制造等优点，腔内倍频仅需0.5-2mm即可实现非常高的转换效率。我公司的PPLN晶体已被国内外多家大学和科研机构以及公司所使用。如对PPLN晶体有任何问题请随时与我们的晶体工程师联系（电话：13126663633）。