IGBT测试仪易恩电气 ENJ2005-C

国内首台大功率IGBT全参数自动测试系统

西安易恩电气科技有限公司科研人员经过连续技术攻关, 在原有高端半导体分立器件自动测试系统基础上, 自行研发出国内首台igbt测试仪，圆满解决了功率IGBT等新型半导体器件的全参数测试难题,填补了国内在半导体自动测试领域的空白，该项产品综合技术指标达到国际领先水平。

目前易恩电气公司提供的IGBT测试仪采用模块式功放结构, 主极电流400A/500A/1000A/1250A可选, 2500A/5000A选项可以根据用户需要定制。

IGBT测试仪可测IGBT参数包括了I_CES, BV_CES, I_GESF, I_GESR, V_GETH, V_GEON, V_CESAT, I_CON,V_F, G_FS,r_CE等全直流参数, 所有小电流指标保证1%重复测试精度, 大电流指标保证2%以内重复测试精度, 达到目前国外进口同类产品领先水平。

绝缘栅晶体管、IGBT测试参数及精度

电参数名称	电压范围	电流范围	分辨率	精度
I_CES I_GESF I_GESR	0.10V- 2000V 0.10V - 20V(80V)^（²^）	100nA(100pA)^（¹^） - 50mA 100nA(100pA)^（¹^）- 3A	1nA(50pA)^（¹^）	1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2pA/V)^（¹^）
BV_CES	0.1V-1000V- 1400V - 1600V	100μA - 200mA -100mA -50mA	5mV	1%＋100mV
V_GETH	0.10V- 20.0V(80V)^（²^）	100nA- 3A	5mV	1%+10mV
V_CESAT I_CON V_GEON V_F G_FS(混合参数)	V_CE: 0.10V- 5.00V - 9.99V V_GE、V_F: 0.10V - 9.99V	I_C: 10μA-1250A - 1250A I_GE、I_F: 100nA - 10A	5mV	V: 1%+10mV I_C,I_F: 1%+100nA I_GE: 1%+5nA

（1）需要小电流台选件

（2）需要栅极80V选件

IGBT测试仪可针对目前封装的多单元IGBT特征, 根据用户需要提供4/ 8/ 20单元扫描测试适配器, 从而实现多单元封装器件的一次性全参数测试.与进口专用测试系统相比, 该产品可同时对各种功率的其它10-18多类半导体分立器件进行全参数测试, 具有更高的使用效率。与国外同类产品相比, 该产品具有更高的性能价格比和国外厂家不能做到的优质售后服务。