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奥林巴斯复合晶片探伤仪探头
应用
• 等于或小于5.0 MHz的探头可承受的*高温度为425°C(800°F);7.5 MHz和10 MHz的探头可承受的*高温度为175°C(350°F)。表面温度在90°C(200°F)到425°C(800°F)的情况下,建议使用的占空因数为*多10秒
钟接触,然后进行*少1分钟的空气冷却(不适用于袖珍尖端双晶)。
• 可更换线缆的设计(备有带应变泄落功能的特殊双线缆)。
奥林巴斯复合晶片探伤仪探头
频率
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标称
晶片尺寸
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探头
工件编号
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MHz
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英寸
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毫米
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2.25
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0.50
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13
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CHC706-RM
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