C32 IGBT缓冲吸收电容器

C32 IGBT缓冲吸收电容器

型号	规格	价格(元)	尺寸（mm)	引出
C32	1.0vF/1200V	9	Φ27.5*L44	d=1.2

价格仅供参考，以报价单为准。

主要应用/Application

广泛应用于UPS、逆变器、感应加热、电焊机等设备的IGBT模块吸收保护。

Widely used in UPS，inverter，induction heaters，welding machine for IGBT snubber protection.

产品特点/Characteristics

电介质：聚丙烯薄膜

结构：双面金属化与金属化膜内串结构

封装：阻燃迈拉胶带，阻燃（94V-0级）环氧封装

引出：镀锡铜线

能承受高脉冲电流，高dv/dt，ESL,ESR小，具有自愈性

Dielectric：Polypropylene film

Construction：Extended double side metalized carrier film with internal series connection and metalized film

Coating：Polyester tape wrapping with resin sealing.

Flame retardant execution（UL94V-0）

Terminals：Tinned copper lugs

High pulse current，high dv/dt, Low ESL and ESR, Self healing

技术性能/Specifications

引用标准/Reference standards	GB/T 17702 IEC 61071
工作温度范围/Operating temperature range	-40℃～85℃
容量范围/Capacitance	0.022μF～5.6μF
额定电压/Rated Voltage	700Vdc～3000Vdc
容量偏差/Tolerance	±5% ±10%
极间耐电压/Test voltage between terminals	1.5Ur（Vdc）10s 25℃±5℃
极壳耐电压/Test voltage between terminals and case	3000V 50Hz 60s，25℃±5℃
损耗角正切/Dissipation factor	tgδ≤6×10^-4 at 25℃±5℃，1kHz
绝缘电阻/Insulation resistance	C×R≥30000s，at 100Vdc，25℃±5℃，60s
预期寿命/Life expectancy	200000h at Ur and 70℃

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