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电子束蒸发镀膜仪设备用途:
用于制备导电薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、光学薄膜等,广泛应用于大专院校、科研机构的科研及小批量生产。
电子束蒸发镀膜仪技术参数:
结构形式 |
真空室采用U型箱体前开门,后置抽气系统 |
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真空室 |
500×500×600mm2 |
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真空系统配置 |
复合分子泵、机械泵、闸板阀 |
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极限压力 |
≤6. 67×10-5Pa (经烘烤除气后); |
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恢复真空时间 |
45分钟可达到6. 67×10-4Pa (系统短时间暴露大气并充干燥 氮气后) |
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电子束 蒸发源 |
e型电子枪 |
阳极电压:6kv、8kv; |
数量(套) |
1 |
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坩埚 |
水冷式坩埚,四穴设计,每个容量11ml |
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功率 |
0一6 KW可调 |
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电阻蒸发源 (可选) |
电压 |
5、10V |
功率 |
电流300A,*大输出功率3KW |
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数量 |
1套,可切换 |
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水冷电极 |
3根,组成2个蒸发舟 |
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工件架类型及尺寸 |
基片尺寸:可放置4”基片,加热zui高温度800℃±1℃ ,基片可连续回转,转速5~60转/分 基片与蒸发源之间距离300~350mm可调,手动控制样品挡板组件1套 |
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气路系统 |
200SCCM质量流量控制器1路 |
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石英晶振膜厚控制仪 |
监测膜厚显示范围:0~99 u 9999A; |
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设备占地面积 |
主机 |
900×800mm2 |
电控柜 |
800×800mm2 (两个) |
- 询价产品:电子束蒸发镀膜仪 CY-EB
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