FIB诱导沉积金属源

FIB (Focused Ion Beam) 聚焦离子束技术为芯片研发和芯片制造过程提供了至关重要的辅助支撑。它的基本原理是：静电透镜聚焦的高能量镓离子, 经高压电场加速后撞击试片表面，在特定气体协作下产生图像并移除或沉淀（连接）物质。该技术广泛应用于掩模修正、电路修改和失效分析。我司从美国STREM 公司引进FIB 深层微沉积高纯有机金属源，品种多，包装全，可满足客户的各种需求。

■ 产品列表

产品编号	金属沉积物	产品名称	包装
78-1350	Pt	（三甲基）甲基环戊二烯基铂(IV) (Trimethyl)methylcyclopentadienylplatinum(IV), 99%	2 g 5 g
98-4024	Pt	(Trimethyl)methylcyclopentadienylplatinum(IV), 99%, 78-1350, contained in 50 mL Swagelok® cylinder for CVD/ALD	10 g
74-2202	W	六羰基钨 Tungsten carbonyl, 99% (99.9+%-W) sublimed	5 g 25 g
98-4036	SiO₂	3-Aminopropyltriethoxysilane, 98%, 93-1402, contained in 50 mL Swagelok® cylinder for CVD/ALD	25 g
79-1600	Au	二甲基（三氟乙酰丙酮）金(II) Dimethyl(trifluoroacetylacetonate)gold(III), 98%(99.9%-Au)	500 mg 2 g
29-2928	Cu	双（六氟乙酰丙酮）合铜(II) Copper(II) hexafluoroacetylacetonate, anhydrous, elec. gr. (99.99+%-Cu) PURATREM	1 g 5 g