N沟纵向MOSFET BLV108
筛选
  • 地区
    全部
  • 会员级别
    全部
筛选
  • 截止时间
    全部
仪表展览网>产品库>N沟纵向MOSFET BLV108
价格: 面议
产品型号:BLV108
公司名称:上海图一实业有限公司
地:上海宝山
发布时间:2014-07-24
上海图一实业有限公司
产品简介
上海图一BLV108是一款N沟增强型VDMOS,高速开关,无二次击穿,BLV108产品主要应用于:电话机电路,继电器电路,驱动电路等.BLV108工作于25℃,其漏源电压Vdss最大为200V,栅源电压Vgss极限值为±20V.
产品详情

BLV108特性:

** 漏源电压Vdss极限值:200V

** 栅源电压Vgss极限值: ±20V

** 漏电流Id300mA 

** 结温度和存储温度为:-50-- +150

** BLV108封装方式:TO92

商铺其他产品
联系商家 立即询价
发布询价单