公司名称:上海图一实业有限公司 所在地:上海宝山 发布时间:2014-07-24 联系人:魏巍 联系电话:021-55390673 上海图一实业有限公司 产品简介 上海图一BLV108是一款N沟增强型VDMOS,高速开关,无二次击穿,BLV108产品主要应用于:电话机电路,继电器电路,驱动电路等.BLV108工作于25℃,其漏源电压Vdss最大为200V,栅源电压Vgss极限值为±20V. 产品详情 BLV108特性:** 漏源电压Vdss极限值:200V** 栅源电压Vgss极限值: ±20V** 漏电流Id为300mA ** 结温度和存储温度为:-50℃-- +150℃** BLV108封装方式:TO92 商铺其他产品 并联LED白光驱动芯片PT4401E23F-20MA PT4401E23F-20MA 升压 DC/DC 转换器PT1301E26F PT1301E26F 升压 DC/DC 转换器PT1301E89E PT1301E89E 白光LED驱动用升压DC/DC转换器 PT4101E23F PT4101E23F 白光LED驱动用升压型DC/DC转换器PT4102E23E PT4102E23E PIC16F676 PIC16F676 联系商家 立即询价 发布询价单 询价产品:N沟纵向MOSFET BLV108 BLV108 询价数量: /个 联系人: 联系电话:
上海图一BLV108是一款N沟增强型VDMOS,高速开关,无二次击穿,BLV108产品主要应用于:电话机电路,继电器电路,驱动电路等.BLV108工作于25℃,其漏源电压Vdss最大为200V,栅源电压Vgss极限值为±20V.
BLV108特性:** 漏源电压Vdss极限值:200V** 栅源电压Vgss极限值: ±20V** 漏电流Id为300mA ** 结温度和存储温度为:-50℃-- +150℃** BLV108封装方式:TO92