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按照硅片电阻率测量的国际标准(ASTM F84)及国家标准设计制造该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准,本机配置232电脑接口及USB两种接口,
四探针薄膜电阻率测试仪
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四探针薄膜电阻率测试仪
.型号及参数
规格型 |
FT-331 |
FT-332 |
FT-333 |
FT-334 |
FT-335 |
FT-336 |
1.方块电阻范围 |
10-5~2×105Ω/□ |
10-4~2×105Ω/□ |
10-3~2×105Ω/□ |
10-3~2×104Ω/□ |
10-2~2×105Ω/□ |
10-2~2×104Ω/□ |
2.电阻率范围 |
10-6~2×106Ω-cm |
10-5~2×106Ω-cm |
10-4~2×106Ω-cm |
10-4~2×105Ω-cm |
10-3~2×106Ω-cm |
10-3~2×105Ω-cm |
测试电流范围
|
0.1μA ,1μA,10μA,100µA,1mA,10mA,100mA |
10μA,100µA,1mA,10mA,100mA |
0.1μA ,1μA,10μA,100µA,1mA,10mA,100mA |
10μA,100µA,1mA,10mA, 100mA |
0.1μA,1μA,10μA,100µA,1mA,10mA,100mA |
1μA,10μA,100µA,1mA,10mA,100mA |
4.电流精度 |
±0.1% |
±0.2% |
±0.2% |
±0.3% |
±0.3% |
±0.3% |
5.电阻精度 |
≤0.3% |
≤0.3% |
≤0.3% |
≤0.5% |
≤0.5% |
≤0.5% |
6.显示读数 |
液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率 |
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7.测试方式 |
普通单电测量 |
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8.工作电源 |
输入: AC 220V±10%.50Hz 功 耗:<30W |
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9.误差 |
≤4%(标准样片结果) |
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10.选购功能 |
选购1.pc软件; 选购2.方形探头; 选购3.直线形探头; 选购4.测试平台;5.标准电阻
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11.测试探头 |
探针间距选购:1mm;2mm;3mm三种规格; 探针材质选购:碳化钨针;白钢针;镀金磷铜半球形针 |
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