770nm可调谐激光管 770nm PH770DBR

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PH770DBR

770nm系列

高功率、单频输出激光二极管

核心技术：

（1）DBR单频激光芯片；（2）AlGaAs 量子阱有源层。

产品特点：

（1）高功率，单频输出；（2）激光线宽小于1MHz；（3）多种封装形式；（4）无跳模调谐范围宽；（5）使用寿命长；（6）可提供纳秒或皮秒脉冲输出。（7）调制频率可达6.8GHz（for putting sidebands on the laser)。

PH770DBR系列高功率激光二极管是基于Photodigm公司先进的单频率激光芯片技术设计而成。它可以提供衍射极限且单纵模输出的激光光束，主要应用于K原子精密谱线研究等领域。DBR激光二极管将光栅放置于激光有源层的一端，可有效避免二极管工作时电流对光栅造成的冲击，能够充分保证激光二极管的使用寿命和稳定性。另外，DBR激光二极管采用单步分子束外延生长而成，使生产成本更加低廉，并且保证了低内部损耗和高输出功率。

技术参数：

储存温度	0-80℃
工作温度	5-70℃
正向电流（连续模式输出）	70-150mA
正向电流（脉冲模式输出），T=25℃ 脉冲宽度：300ns	0.3A
激光反向电压	0.0V
光电二极管正向电流 1/2/	5.0mA
光电二极管反向电压 1/2/	20.0V
光电二极管暗电流，V_R=10V，1/2/	50nA
TEC电流 1/2/	-1.8—1.8A
TEC电压 1/2/	-1.9—1.9V
热敏电阻电流 1/2/	1.0mA
热敏电阻电压 1/2/	10V

连续模式输出技术参数（T=25℃）

中心波长	770nm(Typ.)
输出功率	40、80mW
斜率效率（蝶形封装）	0.36W/A
斜率效率（TO-8封装）	0.75W/A
阈值电流	50mA
激光二极管电阻值	2.0Ω
正向电压	2.0V
热敏电阻阻值@25℃，1/2/	10KΩ
光电二极管暗电流，V_R=10V，1/2/	50nA
激光线宽	0.7MHz
温度调谐系数	30GHz/℃
电流调谐系数	1.3GHz/mA
偏振消光比，1/	-19dB
光束发散角@FWHM	6x26°
边模抑制比	-30dB（Min）
激光偏振	TE
模式结构	基模

1/蝶形封装 2/TO-8封装

注意事项：

此激光二极管是静电敏感器件，操作时请注意接地保护和佩戴静电手环。存储时请将各管脚短接在一起并放入防静电的容器内。

多种封装形式供选择

770nm可调谐激光管LIV曲线

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